Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA416DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 5,54

(excl. BTW)

€ 6,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,277€ 5,54
200 - 480€ 0,228€ 4,56
500 - 980€ 0,211€ 4,22
1000 - 1980€ 0,206€ 4,12
2000 +€ 0,201€ 4,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
818-1441
Fabrikantnummer:
SIA416DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70

Series

ThunderFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

130mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

2.15 mm

Length

2.15mm

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links