Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 9,412

(excl. BTW)

€ 11,388

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,353€ 9,41
60 - 96€ 2,30€ 9,20
100 - 236€ 2,045€ 8,18
240 - 996€ 2,008€ 8,03
1000 +€ 1,965€ 7,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9944
Fabrikantnummer:
SIR5110DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

47.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0125Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links