Fabrikantnummer

Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

RS-stocknr.:: 279-9944
Fabrikantnummer:: SIR5110DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 10,852

(excl. BTW)

€ 13,132

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
4 - 56	€ 2,713	€ 10,85
60 - 96	€ 2,653	€ 10,61
100 - 236	€ 2,358	€ 9,43
240 - 996	€ 2,313	€ 9,25
1000 +	€ 2,265	€ 9,06

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 279-9944
Fabrikantnummer:: SIR5110DP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	47.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiR
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0125Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	59.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.15mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 47.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiR
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0125Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 59.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.15mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5110DP-T1-RE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.