Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 47.6 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 9,50

(excl. BTW)

€ 11,496

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 12 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 2,375€ 9,50
60 - 96€ 2,325€ 9,30
100 - 236€ 2,068€ 8,27
240 - 996€ 2,025€ 8,10
1000 +€ 1,983€ 7,93

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9944
Fabrikantnummer:
SIR5110DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

47.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0125Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links