Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 334 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,49

(excl. BTW)

€ 5,43

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 12 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 49€ 4,49
50 - 99€ 3,36
100 - 249€ 2,99
250 - 999€ 2,94
1000 +€ 2,87

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9969
Fabrikantnummer:
SIRS4600DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

334A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00115Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Reduces switching related power loss

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links