Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,57

(excl. BTW)

€ 1,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 16 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 47 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 948 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 1,57
10 - 49€ 1,40
50 - 99€ 1,33
100 - 249€ 1,18
250 +€ 1,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
542-9462
Fabrikantnummer:
IRF9610PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

IRF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-5.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Gerelateerde Links