Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF9610PBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 52,30

(excl. BTW)

€ 63,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 900 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 - 50€ 1,046€ 52,30
100 - 200€ 0,889€ 44,45
250 +€ 0,837€ 41,85

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
178-0837
Fabrikantnummer:
IRF9610PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-220

Series

IRF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

-5.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Gerelateerde Links