Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,73

(excl. BTW)

€ 0,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 47 stuk(s) klaar voor verzending
  • 47 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 358 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 0,73
10 - 49€ 0,65
50 - 99€ 0,61
100 - 249€ 0,58
250 +€ 0,55

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
543-0018
Fabrikantnummer:
IRF9510PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IRF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Forward Voltage Vf

-5.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Width

4.7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Simple drive requirements

Gerelateerde Links