Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 3,78

(excl. BTW)

€ 4,57

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 150 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 13.770 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,378€ 3,78

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
710-3250
Fabrikantnummer:
SI2309CDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2309CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links