Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP318SH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,66

(excl. BTW)

€ 8,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • 30 resterend, klaar voor verzending
  • 190 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,666€ 6,66
100 - 240€ 0,633€ 6,33
250 - 490€ 0,607€ 6,07
500 - 990€ 0,58€ 5,80
1000 +€ 0,54€ 5,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
753-2816
Fabrikantnummer:
BSP318SH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.5 mm

Height

1.6mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links