N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN IXYS IXFQ60N50P3

RS-stocknr.:: 802-4461P
Fabrikantnummer:: IXFQ60N50P3
Fabrikant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN IXYS IXFQ60N50P3

Bulkkorting beschikbaar

Prijs Per stuk (geleverd in een tube)**

€ 9,41

(excl. BTW)

€ 11,39

(incl. BTW)

58 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

Aantal stuks	Per stuk
5 - 9	€ 7,51
10 - 29	€ 7,11
30 - 89	€ 6,93
90 +	€ 6,74

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 802-4461P
Fabrikantnummer:: IXFQ60N50P3
Fabrikant:: IXYS

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	60 A
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Series	HiperFET, Polar3
Package Type	TO-3PN
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.04 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs	96 nC @ 10 V
Length	15.8mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4.9mm
Transistor Material	Si
Height	20.3mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN IXYS IXFQ60N50P3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series