Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 1.3 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 SI1922EDH-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 14,90

(excl. BTW)

€ 18,05

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 +€ 0,298€ 14,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3091
Fabrikantnummer:
SI1922EDH-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

263mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.6nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.25W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Height

1mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links