Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 8,92

(excl. BTW)

€ 10,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.560 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,446€ 8,92
200 - 480€ 0,42€ 8,40
500 - 980€ 0,38€ 7,60
1000 - 1980€ 0,358€ 7,16
2000 +€ 0,335€ 6,70

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9055
Fabrikantnummer:
SI1029X-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-89-6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

750nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.7mm

Height

0.6mm

Width

1.7 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links