Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9055
Fabrikantnummer:
SI1029X-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-89-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

750nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

1.7mm

Height

600μm

Width

1.7mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.