Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 4.5 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA517DJ-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 10,48

(excl. BTW)

€ 12,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,524€ 10,48
200 - 480€ 0,462€ 9,24
500 - 980€ 0,388€ 7,76
1000 - 1980€ 0,367€ 7,34
2000 +€ 0,314€ 6,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1225
Fabrikantnummer:
SIA517DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.7nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

2.15 mm

Height

0.8mm

Length

2.15mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links