Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 9,32

(excl. BTW)

€ 11,28

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,466€ 9,32
200 - 480€ 0,438€ 8,76
500 - 980€ 0,419€ 8,38
1000 - 1980€ 0,372€ 7,44
2000 +€ 0,35€ 7,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3160
Fabrikantnummer:
SI3477DV-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

4.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.7 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links