Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 9,38

(excl. BTW)

€ 11,34

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.560 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,469€ 9,38
200 - 480€ 0,346€ 6,92
500 - 980€ 0,291€ 5,82
1000 - 1980€ 0,258€ 5,16
2000 +€ 0,234€ 4,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3189
Fabrikantnummer:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

188mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

3.1mm

Width

1.7 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links