DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 15,00

(excl. BTW)

€ 18,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.950 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 +€ 0,30€ 15,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
827-0462
Fabrikantnummer:
DMN2014LHAB-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Height

0.6mm

Width

2.05 mm

Length

3.05mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Gerelateerde Links