DiodesZetex Isolated 2 N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-8742
Fabrikantnummer:
DMN2014LHAB-7
Fabrikant:
DiodesZetex
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

28mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12V, +12V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Maximum Operating Temperature

+150°C

Transistor Configuration

Isolated

Height

0.6mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Length

3.05mm

Width

2.05mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.