Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100A06N1,S4X(S
- RS-stocknr.:
- 827-6097
- Fabrikantnummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*
€ 12,10
(excl. BTW)
€ 14,64
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 28 stuk(s) vanaf 29 december 2025
- Plus verzending 748 stuk(s) vanaf 11 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,025 | € 12,10 |
| 20 - 76 | € 2,525 | € 10,10 |
| 80 - 196 | € 2,208 | € 8,83 |
| 200 - 396 | € 2,098 | € 8,39 |
| 400 + | € 2,045 | € 8,18 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 827-6097
- Fabrikantnummer:
- TK100A06N1,S4X(S
- Fabrikant:
- Toshiba
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TK | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Height | 15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TK | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Height 15mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- CN