Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS-stocknr.:
- 827-6179
- Fabrikantnummer:
- TK30A06N1,S4X(S
- Fabrikant:
- Toshiba
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 8,69
(excl. BTW)
€ 10,51
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 10 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 220 stuk(s) vanaf 08 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,869 | € 8,69 |
| 100 - 190 | € 0,718 | € 7,18 |
| 200 - 360 | € 0,635 | € 6,35 |
| 370 - 740 | € 0,616 | € 6,16 |
| 750 + | € 0,604 | € 6,04 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 827-6179
- Fabrikantnummer:
- TK30A06N1,S4X(S
- Fabrikant:
- Toshiba
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.5 mm | |
| Height | 15mm | |
| Length | 10mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.5 mm | ||
Height 15mm | ||
Length 10mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- CN