Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.165,00

(excl. BTW)

€ 1.410,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 2.500 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,466€ 1.165,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-0297
Fabrikantnummer:
SI4559ADY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

72mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.4W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Height

1.5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links