Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.205,00

(excl. BTW)

€ 1.457,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 2.500 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,482€ 1.205,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-4198
Fabrikantnummer:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links