Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 2,37

(excl. BTW)

€ 2,87

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Plus verzending 5 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Laatste verzending 3.875 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 0,474€ 2,37

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
710-3345
Fabrikantnummer:
SI4559ADY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

72mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.4W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links