Infineon EB 2ED2410 3D 1BCDP MOSFET for Power MOSFET, Gate Driver for 2ED2410-EM 24 V Evaluation Motherboard

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 105,41

(excl. BTW)

€ 127,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 105,41
2 - 4€ 102,71
5 +€ 100,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2058
Fabrikantnummer:
EB2ED24103D1BCDPTOBO1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Gate Driver Module

Power Management Function

MOSFET

For Use With

2ED2410-EM 24 V Evaluation Motherboard

Kit Classification

Evaluation Board

Featured Device

Power MOSFET, Gate Driver

Kit Name

EB 2ED2410 3D 1BCDP

Standards/Approvals

RoHS

EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V evaluation MOSFET daughterboard, common drain, pre-charging


This daughterboard belongs to a family of evaluation boards that can be combined with the 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard (EB 2ED2410 3M). These daughterboards are used to address different MOSFET and shunt arrangements typically found in modern automotive power distributions for 12 and 24 V board nets.

This daughterboard EB 2ED2410 3D 1BCDP is addressing one load channel and consisting of two 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm) in a back2back common drain configuration. In addition, the load could be pre-charged with a dedicated pre-charge path.

Following other daughterboards are available:


•EB 2ED2410 3D 1BCS: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common drain, 0.5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1.1 mOhm), back2back - common source, 0.5 mOhm shunt, with pre-charging

Summary of Features


•Suitable for 12 and 24 V board nets

•Combination with 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard (EB 2ED2410 3M)

•0,5 mOhm shunt resistor

•60 V OptiMOSTM5 power MOSFET (1,1 Ohm) suitable for 12 and 24 V board nets

•MOSFET temperature monitoring with NTC resistors

•Dedicated pre-charge path for loads with high input capacitance

•Nominal current up to 20 A continuous or 30 A for 10 min

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.