STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 3-Pin DPAK STPSC10H12B2-TR

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
210-8743
Fabrikantnummer:
STPSC10H12B2-TR
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Pin Count

3

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

60A

Peak Reverse Current Ir

30μA

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.2mm

Length

9.35mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.4mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 10A, 1200V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

No or negligible reverse recovery

Switching behavior independent of temperature

Robust high voltage periphery

Operating Tj from -40 °C to 175 °C

Low VF

DPAK HV creepage distance (anode to cathode) = 3 mm min.

ECOPACK2 compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.