Fabrikantnummer

Infineon 4 V 130 mA Diode 3-Pin SOT-323 BAT1704WH6327XTSA1

RS-stocknr.:: 261-3927
Artikelnummer Distrelec:: 304-41-636
Fabrikantnummer:: BAT1704WH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon 4 V 130 mA Diode 3-Pin SOT-323 BAT1704WH6327XTSA1

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 7,60

(excl. BTW)

€ 9,20

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 1.900 stuk(s) vanaf 26 augustus 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
50 - 50	€ 0,152	€ 7,60
100 - 100	€ 0,137	€ 6,85
150 - 200	€ 0,123	€ 6,15
250 - 450	€ 0,111	€ 5,55
500 +	€ 0,10	€ 5,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 261-3927
Artikelnummer Distrelec:: 304-41-636
Fabrikantnummer:: BAT1704WH6327XTSA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	SOT-323
	Maximum Continuous Forward Current If	130mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	4V
	Diode Configuration	Series
	Series	BAT17-04W
	Pin Count	3
	Maximum Forward Voltage Vf	0.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Reverse Current Ir	0.25μA
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Width	2mm
	Length	2.1mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type SOT-323
	Maximum Continuous Forward Current If 130mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 4V
	Diode Configuration Series
	Series BAT17-04W
	Pin Count 3
	Maximum Forward Voltage Vf 0.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Reverse Current Ir 0.25μA
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Width 2mm
	Length 2.1mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BAT1704WH6327XTSA1

The Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Their low barrier height, small forward voltage and low junction capacitance, make a suitable choice for mixer and detector applications at frequencies as high as 6 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.