Fabrikantnummer

onsemi MUN5233DW1T1G Transistor, 100 mA NPN, 50 V, 6-Pin SOT-363

RS-stocknr.:: 184-1259
Fabrikantnummer:: MUN5233DW1T1G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MUN5233DW1T1G Transistor, 100 mA NPN, 50 V, 6-Pin SOT-363

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 100 eenheden)*

€ 9,30

(excl. BTW)

€ 11,30

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

Plus verzending 14.200 stuk(s) vanaf 31 augustus 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
100 - 400	€ 0,093	€ 9,30
500 - 900	€ 0,08	€ 8,00
1000 +	€ 0,069	€ 6,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 184-1259
Fabrikantnummer:: MUN5233DW1T1G
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	100mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	50V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	50V
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	80
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	6
	Width	1.35mm
	Height	1.1mm
	Length	2.2mm
	Series	MUN5233DW1T1G
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 100mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 50V
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 80
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 6
	Width 1.35mm
	Height 1.1mm
	Length 2.2mm
	Series MUN5233DW1T1G
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet MUN5233DW1T1G

Land van herkomst:: CN

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

Simplifies Circuit Design

Reduces Board Space

Reduces Component Count

These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.