Fabrikantnummer

onsemi MUN5216DW1T1G Digital Transistor, 50 V NPN 100 mA Surface SOT-363, 6-Pin

RS-stocknr.:: 186-8709
Fabrikantnummer:: MUN5216DW1T1G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MUN5216DW1T1G Digital Transistor, 50 V NPN 100 mA Surface SOT-363, 6-Pin

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 7,20

(excl. BTW)

€ 8,70

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 23 juli 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
50 - 450	€ 0,144	€ 7,20
500 - 950	€ 0,124	€ 6,20
1000 +	€ 0,107	€ 5,35

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 186-8709
Fabrikantnummer:: MUN5216DW1T1G
Fabrikant:: onsemi

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	onsemi
	Product Type	Digital Transistor
	Package Type	SOT-363
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	50V
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	50V
	Maximum Continuous Collector Current Ic	100mA
	Maximum Power Dissipation Pd	385mW
	Minimum DC Current Gain hFE	160
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	0.25V
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	6
	Length	2.2mm
	Width	2.2mm
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Alles selecteren
	Merk onsemi
	Product Type Digital Transistor
	Package Type SOT-363
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 50V
	Maximum Continuous Collector Current Ic 100mA
	Maximum Power Dissipation Pd 385mW
	Minimum DC Current Gain hFE 160
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 0.25V
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 6
	Length 2.2mm
	Width 2.2mm
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals Pb-Free, RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet MUN5216DW1T1G

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

Simplifies Circuit Design

Reduces Board Space

Reduces Component Count

S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable

These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.