Renesas Electronics HIP2101EIBZ MOSFET Gate Driver, 3 A 8-Pin 100 V, SOIC

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,31

(excl. BTW)

€ 11,266

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 904 stuk(s) vanaf 21 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 4,655€ 9,31
10 - 48€ 4,19€ 8,38
50 - 98€ 3,96€ 7,92
100 - 248€ 3,42€ 6,84
250 +€ 3,25€ 6,50

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-0589
Fabrikantnummer:
HIP2101EIBZ
Fabrikant:
Renesas Electronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

3A

Pin Count

8

Fall Time

10ns

Package Type

SOIC

Driver Type

MOSFET

Rise Time

10ns

Minimum Supply Voltage

100V

Maximum Supply Voltage

100V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.7mm

Series

HIP2101

Width

3.98 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
PH
The Renesas Electronics gate drivers is a high frequency half-bridge NMOS FET driver with a tri-level PWM input with an operating supply and integrated high-side bootstrap bias, it supports driving the high-side and low-side NMOS in halfbridge applications.

Programmable dead-time prevents shoot-through

Bi-directional converter

Gerelateerde Links