onsemi NGTB25N120FL3WG, Type N-Channel IGBT-Ultra Field Stop, 25 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 12,68

(excl. BTW)

€ 15,34

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 36 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
  • Plus verzending 30 stuk(s) vanaf 01 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 6,34€ 12,68
20 +€ 5,465€ 10,93

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
123-8830
Fabrikantnummer:
NGTB25N120FL3WG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT-Ultra Field Stop

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

349W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.25 mm

Series

Field Stop

Standards/Approvals

RoHS

Length

20.8mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links