onsemi, Type N-Channel IGBT-Ultra Field Stop, 25 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 124,95

(excl. BTW)

€ 151,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 30 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 4,165€ 124,95
120 - 240€ 3,332€ 99,96
270 - 480€ 3,149€ 94,47
510 - 990€ 3,021€ 90,63
1020 +€ 2,946€ 88,38

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
145-3284
Fabrikantnummer:
NGTB25N120FL3WG
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT-Ultra Field Stop

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

349W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

Field Stop

Length

20.8mm

Width

16.25 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links