IXYS IXXK110N65B4H1, Type N-Channel IGBT, 570 A 650 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 17,73

(excl. BTW)

€ 21,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 290 stuk(s) vanaf 23 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 17,73
2 - 4€ 15,89
5 - 9€ 15,09
10 - 24€ 14,38
25 +€ 13,64

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
125-8051
Fabrikantnummer:
IXXK110N65B4H1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current Ic

570A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

880W

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

30kHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

Trench

Automotive Standard

No

Energy Rating

3mJ

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links