IXYS, Type N-Channel IGBT, 100 A 600 V, 3-Pin TO-264, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 439,15

(excl. BTW)

€ 531,375

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 25 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 +€ 17,566€ 439,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4587
Fabrikantnummer:
IXXK100N60C3H1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

695W

Package Type

TO-264

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

60kHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

Planar

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Energy Rating

600mJ

Land van herkomst:
PH

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links