- RS-stocknr.:
- 168-4474
- Fabrikantnummer:
- MII100-12A3
- Fabrikant:
- IXYS
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 29-10-2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Elk (in een doos van 6)
€ 69,647
(excl. BTW)
€ 84,273
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per Doos* |
6 + | € 69,647 | € 417,882 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 168-4474
- Fabrikantnummer:
- MII100-12A3
- Fabrikant:
- IXYS
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 135 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Package Type | Y4 M5 |
Configuration | Series |
Mounting Type | Panel Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Series |
Dimensions | 94 x 34 x 30mm |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
- RS-stocknr.:
- 168-4474
- Fabrikantnummer:
- MII100-12A3
- Fabrikant:
- IXYS