IXYS MIXA225PF1200TSF Dual IGBT Module, 360 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB Mount

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 doos van 3 eenheden)*

€ 381,621

(excl. BTW)

€ 461,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per Doos*
3 +€ 127,207€ 381,62

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4565
Fabrikantnummer:
MIXA225PF1200TSF
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

360 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

1100 W

Package Type

SimBus F

Configuration

Dual

Mounting Type

PCB Mount

Channel Type

N

Pin Count

11

Transistor Configuration

Series

Dimensions

152 x 62 x 17mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Land van herkomst:
DE

IGBT Modules, IXYS



IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links