Toshiba, Type N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 157,15

(excl. BTW)

€ 190,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 50 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 +€ 3,143€ 157,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-7766
Fabrikantnummer:
GT30J121
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

Insulated Gate Bipolar Transistor

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.45V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links