Toshiba GT30J121 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,50

(excl. BTW)

€ 5,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 11 stuk(s) klaar voor verzending
  • 22 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 81 stuk(s) vanaf 06 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 24€ 4,50
25 - 49€ 4,27
50 - 199€ 4,03
200 - 399€ 3,60
400 +€ 3,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
796-5058
Fabrikantnummer:
GT30J121
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

170 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.9 x 4.8 x 20mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, Toshiba



IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links