STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 59,94

(excl. BTW)

€ 72,54

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 630 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 1,998€ 59,94
120 - 270€ 1,84€ 55,20
300 - 570€ 1,792€ 53,76
600 - 1170€ 1,746€ 52,38
1200 +€ 1,702€ 51,06

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-9877
Fabrikantnummer:
STGWA30H65DFB2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

167 W

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

Gerelateerde Links