STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,00

(excl. BTW)

€ 12,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 655 stuk(s) vanaf 09 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 2,00€ 10,00
10 +€ 1,704€ 8,52

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-9878
Fabrikantnummer:
STGWA30H65DFB2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

Gerelateerde Links