STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, Type N-Channel IGBT, 115 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,99

(excl. BTW)

€ 13,298

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 60 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,495€ 10,99
10 +€ 4,66€ 9,32

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
206-8629
Fabrikantnummer:
STGW75H65DFB2-4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

115A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.9mm

Width

21.1 mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.1mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

Gerelateerde Links