STMicroelectronics STGW100H65FB2-4, Type N-Channel IGBT, 145 A 650 V, 4-Pin TO-247-4, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 14,31

(excl. BTW)

€ 17,316

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 568 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 7,155€ 14,31
10 +€ 6,165€ 12,33

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
212-2107
Fabrikantnummer:
STGW100H65FB2-4
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

145A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

441W

Package Type

TO-247-4

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.1mm

Series

STG

Length

15.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT


The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represent an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast application.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Gerelateerde Links