Infineon IHW30N65R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,32

(excl. BTW)

€ 16,115

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 255 stuk(s) vanaf 18 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,664€ 13,32
25 - 45€ 2,372€ 11,86
50 - 120€ 2,236€ 11,18
125 - 245€ 2,078€ 10,39
250 +€ 1,918€ 9,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6639
Fabrikantnummer:
IHW30N65R5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

42mm

Width

16.13 mm

Series

Resonant Switching

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.21mm

Automotive Standard

No

The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links