Infineon IHW30N65R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 13,32

(excl. BTW)

€ 16,115

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 255 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,664€ 13,32
25 - 45€ 2,372€ 11,86
50 - 120€ 2,236€ 11,18
125 - 245€ 2,078€ 10,39
250 +€ 1,918€ 9,59

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6639
Fabrikantnummer:
IHW30N65R5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

42mm

Height

5.21mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

Resonant Switching

Automotive Standard

No

The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.