Infineon IKB15N65EH5ATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,78

(excl. BTW)

€ 15,465

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 920 stuk(s) vanaf 11 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 2,556€ 12,78
25 - 45€ 2,302€ 11,51
50 - 120€ 2,148€ 10,74
125 - 245€ 1,994€ 9,97
250 +€ 1,84€ 9,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6648
Fabrikantnummer:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

105W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links