Infineon IKB40N65ES5ATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 79 A 650 V, 3-Pin TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,08

(excl. BTW)

€ 8,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.256 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,54€ 7,08
20 - 48€ 3,01€ 6,02
50 - 98€ 2,83€ 5,66
100 - 198€ 2,62€ 5,24
200 +€ 2,44€ 4,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6655
Fabrikantnummer:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

79A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links