Infineon IKB40N65EF5ATMA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 7,54

(excl. BTW)

€ 9,12

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 976 stuk(s) vanaf 28 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 3,77€ 7,54
10 - 18€ 3,395€ 6,79
20 - 48€ 3,17€ 6,34
50 - 98€ 2,94€ 5,88
100 +€ 2,755€ 5,51

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-6651
Fabrikantnummer:
IKB40N65EF5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

74 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V, ±30 V

Maximum Power Dissipation

250 W

Package Type

PG-TO263-3

Pin Count

3

The Infineon high speed fast switching insulated-gate bipolar transistor with full current rated rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links