Infineon IKP39N65ES5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 62 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,26

(excl. BTW)

€ 19,675

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 3,252€ 16,26
25 - 45€ 2,732€ 13,66
50 - 120€ 2,568€ 12,84
125 - 245€ 2,374€ 11,87
250 +€ 2,21€ 11,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
226-6105
Fabrikantnummer:
IKP39N65ES5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

62A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

IKP39N65ES5

Automotive Standard

No

The Infineon IKP39N65ES5 has highest power density in TO-220 footprint and no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.45 V at 25°C

4 times Ic pulse current (100°C Tc)

Maximum junction temperature Tvj 175°C

Gerelateerde Links