Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 133,34

(excl. BTW)

€ 161,34

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 08 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 133,34
2 - 4€ 130,68
5 +€ 117,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5848
Fabrikantnummer:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

122mm

Width

62 mm

Series

FP75R12KT4B11B

Height

17mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

Gerelateerde Links