Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 50,71

(excl. BTW)

€ 61,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6 stuk(s) vanaf 05 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 50,71
2 - 4€ 49,70
5 +€ 44,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5391
Fabrikantnummer:
FP25R12W2T4B11BOMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

175W

Number of Transistors

7

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

51mm

Height

12mm

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP25R12W2T4B11B

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 400 nA

Reverse transfer capacitance 0.05 nF

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.