STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG IGBT, 30 A 650 V H2PAK-2, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,54

(excl. BTW)

€ 4,28

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 456 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 3,54
5 - 9€ 3,37
10 - 24€ 3,04
25 - 49€ 2,72
50 +€ 2,58

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
248-4894
Fabrikantnummer:
STGH30H65DFB-2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Width

15.8 mm

Height

4.7mm

Series

STGH30H65DFB

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High speed switching series

Safer paralleling

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Soft and very fast recovery antiparallel diode

Gerelateerde Links