STMicroelectronics STH285N10F8-2AG N channel-Channel Power MOSFET, 292 A, 100 V Enhancement Mode, 3-Pin H2PAK-2

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,22

(excl. BTW)

€ 3,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 300 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,22
10 - 24€ 3,12
25 - 99€ 3,05
100 - 499€ 2,60
500 +€ 2,45

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
800-459
Fabrikantnummer:
STH285N10F8-2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

292A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STH285N10F8-2AG

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

341W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

177nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

ECOPACK

Height

15.8mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics 100 V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure.

AEC-Q101 qualified

175 °C maximum operating junction temperature

100% avalanche tested

Excellent FoM (figure of merit)

Gerelateerde Links