Bourns IGBT, 100 A 650 V TO-247

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 600 eenheden)*

€ 1.546,20

(excl. BTW)

€ 1.870,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 600 stuk(s) vanaf 18 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
600 +€ 2,577€ 1.546,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
253-3508
Fabrikantnummer:
BIDW50N65T
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Package Type

TO-247

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

RoHS compliant

Gerelateerde Links