Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 IGBT Module, 95 A 650 V ACEPACK 2, Clamp
- RS-stocknr.:
- 259-1503
- Fabrikantnummer:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 eenheid)*
€ 52,32
(excl. BTW)
€ 63,31
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 30 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 1 | € 52,32 |
| 2 - 4 | € 51,26 |
| 5 + | € 46,14 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 259-1503
- Fabrikantnummer:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 95A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 275W | |
| Package Type | ACEPACK 2 | |
| Mount Type | Clamp | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 56.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | FP75 | |
| Height | 12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 95A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 275W | ||
Package Type ACEPACK 2 | ||
Mount Type Clamp | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 56.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series FP75 | ||
Height 12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon easy pack 2B modules with trenchstop IGBT3, emitter controlled 3 diode and PressFIT / NTC.
Increased blocking voltage capability to 650V
Low switching Losses
Low VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Gerelateerde Links
- Infineon IGBT Module Clamp
- Infineon 95 A 650 V Clamp
- Infineon F3L75R07W2E3B11BOMA1 95 A 650 V Clamp
- Infineon IGBT Module Panel
- Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module Panel
- Infineon IGBT Module 8-Pin Module, Panel
- Infineon IGBT Module 650 V, Through Hole
- Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module 8-Pin Module, Panel